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YTS2222A


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 40/75V
IC 0.8A
hFE 35-300
Ptot 1.8W
fT >300MHz
TJ 200°C
YTS2222A è un transistor silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 800mA, d´application: transistore di commutazione rapida
marking code: 1P
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per YTS2222A
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: SOT-23
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 40/75V
IC 0.8A
hFE 35-300
Ptot 1.8W
fT >300MHz
TJ 200°C
YTS2222A è un transistor silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 800mA, d´application: transistore di commutazione rapida
marking code: 1P
Foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
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SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 40/75V
IC 0.8A
hFE 35-300
Ptot 1.8W
fT >300MHz
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MMBT2222A


SI NPN transistor
simile a YTS2222A vedi nota
GFX
UCE/UCB 40/75V
IC 0.6A
hFE 35-300
Ptot 350mW
fT >300MHz
TJ 150°C
MMBT2222A è un simili transistor silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 600mA, d´application: SMD, piccoli stadi di segnale
marking code: K1P , R1P
Foto: -
fonte: datasheet
Prodotto simile: MMBT2222A
OEM:Diodes Incor... [piú]
Diodes Incorporated
copertura: SOT-23
scheda tecnica (jpg):-
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OEM scheda tecnica:-
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SI NPN transistor
simile a YTS2222A vedi nota
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UCE/UCB 40/75V
IC 0.6A
hFE 35-300
Ptot 350mW
fT >300MHz
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marking code: K1P , R1P
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OEM:Diodes Incor... [piú]
Diodes Incorporated
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SI NPN transistor
simile a YTS2222A vedi nota
GFX
UCE/UCB 40/75V
IC 0.6A
hFE 35-300
Ptot 350mW
fT >300MHz
TJ 150°C
MMBT2222A è un simili transistor silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 600mA, d´application: SMD, piccoli stadi di segnale
marking code: K1P , R1P
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